полевой транзистор p

Полевые транзисторы с p-каналом представляют собой устройства полупроводникового типа, необходимые для управления силой тока на основе изменения электрического сопротивления. Происходит все благодаря поперечному электрическому полю. Транзисторы данного типа используются повсеместно со средины 20 века, когда и были изобретены. 

Когда был создан первый полевой транзистор? 

p канальный полевой транзистор состоят из нескольких областей – истока, затвора и стока. Первая – то место, откуда носители заряда начинают движение в сторону канала, а напряжение подается на затвор. Скапливаются электроды в стоке. 

Первый транзистор такого типа был создан в 1953 году, но сама идея возникла еще в 1928. Первый прибор, способный попасть в серийное производство, был выпущен только в 1960. Повсеместное применение полевых транзисторов началось с 1977 года, когда было установлено, что эти элементы положительно влияют на производительность вычислительной техники. 

Самые первые транзисторы были выполнены на основе германия. Но на данный момент выявлены существенные недостатки его использования. Поэтому сейчас устройства в своей основе имеют кремний или арсенид галлия. В последнем случае приборы имеют особенно высокую скорость срабатывания. Кроме того, они являются безопасными для окружающей среды, соответствуют всем современным требованиям по экологичности. 

Краткая характеристика полевых транзисторов 

В полевых транзисторах установлен специальный изолированный затвор. Это значит, что он отделен от самого канала при помощи диэлектрика. В качестве последнего здесь выступает оксид кремния. То, что в транзисторе находится диэлектрик, позволяет девайсу выдавать высокие показатели входного сопротивления. 

Полевые транзисторы относятся к типу однополярных устройств. В нем есть область, которая ограничивает движение тока по каналу. Все транзисторы полевого типа работают по принципу, когда изменение проводимости происходит под действием электрического поля. 

Транзисторы типа p-каналом имеют в своей структуре кристаллические диоды, соединенные между собой. Внутри такого устройства ток формируется при помощи перемещения дырок, а на выходе он зависит от движения электронов. Транзистор срабатывает в момент, когда по нему начинает протекать небольшой ток. Движение происходит по направлению от эмиттера к встроенному коллектору.

Базой транзистора является эмиттер, дополненный коллектором. Именно эмиттер способен притягивать к базе электроны, в результате чего и создаются потоки. При этом, p-n всегда имеет положительную базу, если рассматривать ее по отношению к коллектору. 

Устройства отличаются компактными размерами корпуса. Благодаря этому они займут гораздо меньше места при установке в системы или отдельное оборудование. Именно эта характеристика сделала их особенно востребованными в сфере радиоэлектроники. 

Полевые транзисторы: виды 

Полевой транзистор p-типа имеют свою классификацию, основанную на принципе работы и ее особенностях:

1. Модель с управляющим p-n переходом. Такой вариант имеет затвор, находящийся со стороны подложки. Ток в таком переходе имеет низкие показатели. В конструкции нет катода. 
2. С изолированным затвором. Данный элемент представляет собой девайс, в котором затвор изолирован с помощью полупроводника. Им тут является диоксид кремния. 

Данные виды транзисторов получили широкое применение в промышленности для производства различного оборудования и техники. Каждый из видов имеет свои подвиды, чьи характеристики ориентированы на конкретную группу устройств.