производитель ixys

Фирма IXYS, сегодня являющаяся ведущим глобальным поставщиком силовых полупроводниковых приборов, была основана в 1983 году в самом центре Силиконовой долины – городе Санта Кларе. Компания стала одной из первых, размещающих заказы на производство изделий по собственным проектам на сторонних предприятиях. Благодаря такой диверсификации производственной базы фирма обрела большую гибкость и устойчивость, что позволило быстро выйти в топ мировых поставщиков полупроводниковой продукции. В наши дни интегральные схемы, высокочастотное оборудование и semiconductor ixys используются в составе выпускаемого оборудования известных 2500 брендов. IXYS имеет штаб-квартиры в Милпитасе, Калифорния, и Лейдене, Нидерланды.

Продукция фирмы нашла широкое применение в следующих отраслях:

• транспорт;
• телекоммуникации;
• производство персональных компьютеров;
• медицинская аппаратура;
• солнечная и ветряная энергетика;
• рынок экологически чистых технологий.

С первых дней своей деятельности инженеры компании сконцентрировались на выдвижении инновационных решений, что привело к получению ряда патентов. На их основе было начато производство высоковольтных транзисторов двух марок, один из которых (MOSFET) вошёл в состав первой модели электрокара General Motors, а второй был использован при разработке южнокорейского скоростного состава Hyundai.

С 1989 года IXYS перестала быть бесфабричной, получив свой первый завод на немецкой территории. В наши дни производственная база расширена до 4 заводов, в числе которых три занимается кремниевыми элементами, а один – радиочастотными компонентами с использованием арсенида галлия.

С 2001 года компания занимается поглощениями, купив британского поставщика силовых элементов и американского создателя микроконтроллеров. В 2018 году фирма сама была поглощена со всей своей научно-исследовательской и производственной базой, перейдя во владение Littelfuse. 

Объединённый технологический портфель силовых полупроводниковых приборов включает:

1. Диоды выпрямительные. Пример одной из наиболее востребованной модели – ixys dsei2x101 12a.
2. Диодные модули.
3. Дискретные МОП-транзисторы.
4. Интегральные схемы.
5. Тиристорно-диодные модули.
6. Широкополосные устройства.

После сделки 2018 года вся продукция купленной компании постепенно переносится на портал владельца. На старом сайте можно найти ссылки на категории, которые будут находиться там в течение переходного периода, после чего прежний сайт, очевидно, будет закрыт, а снимки его страниц сохранятся только в веб-архиве.

Эпитаксиальный диод

Частью предлагаемого брендом ассортимента являются эпитаксиальные диоды, полученные с помощью эпитаксии и локального диффузионного процесса. В ходе этого процесса монокристаллические слои наращиваются на подложку, служащую основой всей конструкции, при этом ориентация кристаллов сохраняется. Метод эпитаксии позволяет получить планарные диффузионные диоды требуемых характеристик. Пример такого изделия – ixys dsec 60 04a 318g 11 2. 

Толщина выращиваемых слоёв может начинаться от десятков ангстрем и увеличиваться до нескольких микрон. Разные слои легируются добавками для создания переходов с большой концентрацией дырок и электронов. В ходе одного сеанса, длящегося 2-3 часа, можно получить монокристаллические слои на 12 основах диаметром до 75 мм. Цена специальных установок для проведения этой технологической операции составляет $2 млн. Однако одной техники для получения качественной продукции ещё недостаточно. Опыт множества брендов указывает, что освоить данную технологию даже при строгой производственной дисциплине можно лишь за 1-1,5 года, а чаще всего освоение растягивается на срок до 3-х лет, в течение которых шлифуется производственная культура предприятия. 

Тиристорные модули

Наряду с эксклюзивными решениями в схемотехнике на каждом шагу используются стандартные связки – комбинации нескольких диодов, тиристоров или диодов с тиристорами. Чтобы не закупать отдельные электронные компоненты и упростить монтаж, используют готовые модули, в составе которых элементы уже соединены по нужной схеме и заключены в собственный надёжный корпус. Пример такого решения – тиристорный модуль ixys mcc 310 16io1 2043g, представляющий собой монолитную конструкцию с участием двух полупроводниковых приборов. Данное устройство используется в цепях переменного и постоянного тока с нагрузкой до 1200 А. Благодаря устойчивым параметрам гальванической развязки и продуманной конструкции, тиристорный модуль данного типа выдерживает свыше 100 тысяч рабочих циклов.

Надёжный корпус модуля состоит из термополимера, изоляция между выводами и основанием выдерживает 3,6 тыс. вольт. Монтаж устройства осуществляется с помощью винтов через сквозные отверстия. Провода фиксируются зажимными клеммами.

Сфера использования: блоки питания, регуляторы тока и мощности, пусковые устройства, системы управления электромоторами, сварочные инверторы, контроллеры температуры металлургического оборудования.