г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SD6834b

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

Контроллер PWM/PFM регуляции SD6834b оснащен дополнительно полевым МОП-транзистором.

Основное отличие от конкурентных моделей и назначение

Основное назначение такого вида контроллера – работа с импульсными блоками питания для управления текущими параметрами тока и выполнения технологической функции регуляции токов высокого напряжения.

Отличие этой разновидности контроллера в малом потреблении энергоресурсов, а также минимальными показателями пусковых токов. Такие параметры делают контроллер доступным для портативных устройств, где требуются энергосберегающие технологии и минимизация потребления. В режиме ожидания нагрузки, микросхема резко снижает потребление тока и потребляет минимум рассеивающей мощности для поддержки активного состояния.

Частотность работы составляет от 25 до 67 кГц и определяется нагрузкой, передаваемой от частоты джиттера с минимальными электромагнитными помехами.

Защита от перегрузок

Для защиты микросхемы и контролируемых ею цепей, используется встроенная схема регуляции пиковых токовых параметров с помощью ограничения напряжения. Входное напряжение при этом может значительно отличаться и передаваться пикообразно.

Компенсационно-регулировочные механизмы включают:

  • блокировку с минимальным уровнем напряжения на входе;
  • защитную цепь для блокирования токов, близких к токам короткого замыкания;
  • защита от перегрузки на первичной обмотке;
  • тепловой регулятор-выключатель.

Если один из вариантов защиты сработает, цепь закрывается от пропуска тока для избегания прохождения несбалансированных показателей напряжения/силы тока. Отключение работает до момента стабилизации номинальных рабочих токов или температурного состояния.

Alt: Контроллер SD6834b

Базовые электрические показатели

Микросхема выполняет регуляцию широтно-импульсной модуляции и частотно-импульсной модуляции тока. Для своей работы микросхема применяет технологию Energy Star 2.0, которая значительно сокращает расход энергии, включая потребность в минимальном пусковом токе – 3 мкА.

Оптимальные уровни напряжений на разных участках цепи встроенного транзистора:

  • сток-затвор – 650 В;
  • затвор-исток – ±30 В;
  • максимальный допустимый импульсный ток – 10 A;
  • ток стока – до 2,5 A;
  • входное напряжение обратное – -0,3…+7 В.

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора – до 6,3 Вт. Рабочая температура для выполнения функции транзисторной регуляции – до +150 °C.