Серия IRF ТРАНЗИСТОРЫ

Компания Infineon предлагает потребителям силовые IRF транзисторы P канальные и N канальные с высокими показателями по удельной мощности, экономичности и эффективности. К их преимуществам относится высокая скорость переключения, значительный КПД, работа при низких напряжениях. Infineon Technologies AG – немецкий производитель микросхем со штаб-квартирой в пригороде Мюнхена. Ранее компания входила в состав Siemens на правах отдельного подразделения, тесные связи между двумя производителями сохранились и по настоящее время. Большим событием для Infineon стало приобретение International Rectifier, на счету которой множество уникальных открытий и разработок по части полупроводников. 

Транзистор IRF: технические характеристики, область применения

В настоящее время большинство силовых приборов представлено MOSFET-транзисторами. При разработке устройств производители стараются минимизировать размеры и энергопотребление на фоне снижения стоимости. Высокие достижения и успехи в развитии современной электроники привели к тому, что купить транзисторы IRF 6727 или другие приборы на основе полупроводников не составит особого труда. Радиолюбители получили возможность использовать мощные высокоскоростные устройства при разработке своих проектов. 

Транзистор IRF 1404 относится к мощным полевым n-канального типа, изготовлен по технологии HEXFET. Конструкцию устройства в конце 2000-х годов представила компания International Rectifier. Чаще прибор имеет пластиковый корпус TO-220AB с тремя жесткими выводами. 

К преимуществам IRF 1404, определяющим область его применения, относятся:

• сравнительно малое сопротивление до 0,004 Ом;
• высокий переменный ток нагрузки может составлять 808 А;
• максимальная мощность рассеивания 330 Вт;
• расширенный рабочий температурный диапазон от -55 до 1750С;
• повышенная выходная мощность, позволяющая устройство использовать в составе каскадов усиления звуковой частоты.

Сфера применения транзистора IRF 1404 распространяется на импульсные источники питания, зарядные устройства, регуляторы мощности, преобразователи, звуковые усилители. Мощный полевой транзистор IRF находит применение в инверторах управления электродвигателями, генераторами, радиоэлектронных устройствах. Гарантией длительной и безопасной работы любого устройства станут его рабочие параметры, которые рекомендуется поддерживать на 20-30% меньше, чем максимально допустимый. При этом рекомендуется учитывать, что температурный диапазон указан для внутренней начинки – кристалла. Снизить температуру возможно за счет применения радиаторов, их наличие благоприятно влияет на работу прибора в целом.

Силовые полевые транзисторы IRF

Первые транзисторы были разработаны сотрудниками Telephone Laboratories в 1947 году, через год начался серийный выпуск. Последующее время было посвящено совершенствованию технологии, разработке силовых устройств, в 1976 году Siliconix предложила свой вариант мощных МОП–транзисторов, разработанных по технологии MOSPOWER. Немного позже International Rectifier представила свой вариант МОП–структуры – HEXFET. Транзисторы, разработанные по технологии HEXFET, представляют собой микросхему из огромного количества параллельно размещенных ячеек, каждая из которых есть миниатюрный МОП транзистор. В результате получена шестиугольная структура, которая и послужила основанием для названия. Многоячеистая структура позволяет практически без сопротивления пропускать большие токи. По данной технологии разработан транзистор IRF 6727. Прибор упакован в корпус DirectFET. Конструкция специально создана для мощных полупроводников, способна обеспечить эффективный отвод тепла от кристалла с двух сторон и таким образом повысить в два раза предельный ток. Излучение экранируется при помощи металлического корпуса, что дает возможность избавиться от паразитной индуктивности. 

Особенности корпусов DirectFET:

1. Значительная удельная мощность устройства.
2. Минимизированы электромагнитные помехи.
3. Компактное размещение на плате.
4. Усиленное охлаждение с двух сторон.
5. Значительная рассеивающая мощность корпуса в сочетании с уменьшенным температурным сопротивлением. 
6. Открываются новые возможности по увеличению тока.
7. Повышенная эффективность корпуса за счет пониженного сопротивления выводов, уменьшенного температурного сопротивления, увеличенной площади контакта с печатной платой, минимальных размеров.
8. Область применения распространяется на солнечные инверторы, преобразователи, выключатели, ПК, блоки питания ноутбуков, серверные и телекоммуникационные устройства.

Конструкция корпуса предполагает изготовление транзистора из кристалла, где выводы размещены с двух сторон. Сток с платой соединяется посредством крышки–зажима из меди.