г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

силовой транзистор купить

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

Силовые транзисторы IGBT и MOSFET получили широкое применение в разных отраслях промышленности, связанных с созданием электроники и техники. Их характеристики и особенности позволяют оснастить ими разное оборудование, которое нуждается в стабильной работе. Транзистор необходим для усиления сигнала, который поступает извне. После этого прибор вырабатывает более мощную версию сигнала. 

alt Транзисторы MOSFET и IGBT

Cиловые MOSFET транзисторы: характеристики 

Силовые транзисторы типа MOSFET относятся к категории полевых. Такие компоненты сделаны на основе полупроводников, имеют по 3 вывода. Работой силового транзистора полевого типа управляет сам сигнал, который попадает на затвор. Такие девайсы способны работать с номинальным напряжением в диапазоне от 10 до 1000 В. Цена силовых транзисторов варьируется в зависимости от конкретной модели и ее характеристик. 

Если на транзистор типа MOSFET подается приложенное напряжение, то оно в два раза будет превышать индуктивное. Чем меньшим является сопротивление устройства в открытом виде, тем меньше температуры и мощности оно потеряет. Транзисторы MOSFET способны отводить тепло благодаря особым свойствам корпуса. Устройства способны работать и на высоких частотах. При этом, размеры транзисторов остаются компактными, что часто является решающим для широкого спектра оборудования. 

MOSFET – это биполярный силовой транзистор, востребованный в разных сферах производства, а также в любительской радиоэлектроники. Он имеет следующую структуру:

  • эмиттер;
  • коллектор;
  • база.

При подключении коллектора и эмиттера к источнику питания происходят такие изменения, благодаря которым возникают оптимальные условия для протекания тока. Одновременно с этим база не позволяет носителям заряда двигаться. После подачи напряжения смещения происходит срабатывание устройства. 

Использование MOSFET –транзисторов дает такие преимущества:

  • минимум трат на управления устройством;
  • высокие показатели сопротивления на входе;
  • малые показатели остаточного напряжения;
  • широкий диапазон рабочего напряжения;
  • простота установки и настройки;
  • небольшие потери;
  • длительный срок службы.

В таких биполярных транзисторах затвором называют управляющий электрод, а два других здесь – это коллектор и эмиттер. Транзистор этого типа включается и выключается при помощи подачи тока на него. 

Транзисторы сделаны на основе полупроводниковых материалов, что позволяет им проводить ток, а также блокировать этот процесс. Ток в транзисторах появляется как результат переизбытки или недостатка электронов в свободной форме. Они имеют три полупроводниковых области: 

  1. База – центр транзистора, это самый тонкий его слой. Вывод из базы имеет небольшой ток. 
  2. Коллектор – самый широкий из слоев, на который ток подается с самой большой амплитудой.
  3. Эмиттер – ток на выходе, чем на входе с него. 

Эмиттер работает совместно с отрицательным полюсом, а база с коллектором – с положительным. База имеет легкое легирование. В процессе функционирования электроны в транзисторе двигаются в сторону коллектора, где и собирается их основная масса. 

Транзисторы имеют в своей структуре носители двух типов полярности – дырки и электроны. Через них и происходит процесс переноса заряда. Поэтому такие транзисторы именуют биполярными. Используют данные электронные компоненты для работы различного оборудования – везде, где есть необходимость усилить ток или сгенерировать электрические колебания. 

alt Транзистор IGBT

Силовой транзистор IGBT: краткая характеристика 

IGBT это силовые транзисторы биполярного типа, которые необходимы для работы различной техники и электроники. Купить транзисторы силовые 6727р8тс1837 и другие модели необходимо для инверторов, источников питания, приводов. 

Транзистор типа IGBT состоит из двух структурных элементов полупроводникового типа. Работа такого устройства способна образовать силовой канал. Именно транзисторы IGBT постепенно заменяют собой тиристоры в схемах преобразования высоковольтного типа. 

Какие преимущества имеют IGBT:

  • небольшие показатели мощности управления;
  • высокие показатели сопротивления на входе;
  • остаточное напряжение в открытом виде имеет небольшие показатели;
  • быстрота переключения;
  • малые потери;
  • силовой канал отличается высокими показателями номинального напряжения. 

Кроме того, транзисторы IGBT отличаются тем, что при росте показателей тока увеличивается и сопротивление самого канала. Благодаря этому данный элемент считается более надежным и эффективным при оснащении различного оборудования и электроники. IGBT выдерживают напряжение до 10 кВ. Благодаря этому сфера применения устройств обширна:

  • конверторы;
  • сварка;
  • регулятор тока;
  • ИБП;
  • печи индукционного типа;
  • реле;
  • электрические генераторы и преобразователи. 

Данные элементы отличаются стабильной работой при соблюдении всех норм эксплуатации и безопасности. Производители предлагают широкий спектр моделей, которые подойдут к различным типам оборудования и условиям монтажа. 

Особенности монтажа 

Транзисторы работают совместно с драйверами, при помощи которых и происходит управление ими. Благодаря данным элементам происходит коммутация в том диапазоне частот, который задан заранее, а все действия автоматически согласуются с блоком управления. 

При подключении транзисторов учитывайте, что они должны плотно прилегать к поверхности подложки, на которую они установлены. Шероховатость не должна превышать показатель в 10 мкм. Перед установкой убедитесь в том, что под транзистор не попадут твердые частички, рекомендуется обезжирить место монтажа. 

Транзисторы, установленные правильно, прослужат длительный срок, обеспечивая надежную и стабильную работу техники. При необходимости технического обслуживания или замены необходимо обращаться к специалистам. Самостоятельно проводить работы, не имея допуска к ним, не рекомендуется. Перед монтажом или заменой систему или оборудование нужно полностью обесточить.