SMD полевых транзисторов

Переключатель обеспечивает разомкнутую цепь, создавая бесконечное сопротивление при установке в положение «ВЫКЛ» и обеспечивает короткое замыкание, также называемое нулевым сопротивлением, при установке в положение «ВКЛ». Точно так же в транзисторе с биполярным переходом путем управления база-эмиттер величина сопротивления эмиттер-коллектор допускается как почти бесконечная, так и почти нулевая.

Три области транзистора

В активной области, предназначенной для широкого диапазона напряжений между эмиттером и коллектором, коллекторный ток остается постоянным. Поскольку напряжение может меняться, а значение тока почти постоянно, при работе компонента будут значительные потери мощности. Когда идеальный выключатель выключен, ток равен нулю и, следовательно, потери мощности нет. Точно так же, когда переключатель включен, напряжение на переключателе равно нулю, и, следовательно, потери мощности нет. Когда мы хотим, чтобы биполярный транзистор функционировал как переключатель, он должен так, чтобы максимально сократить потери мощности, а в состояниях ВКЛ и ВЫКЛ они были малы или стремились к нулю. Это возможно только тогда, когда транзистор работает исключительно в предельной области характеристик. Области отсечки и насыщения являются двумя крайними областями в характеристиках транзистора.

Выбор транзистора в качестве выключателя

Когда мы выбираем транзистор как переключатель, нужно его правильно оценить. Поскольку ток нагрузки протекать через компонент, когда он будет во включенном состоянии, то его сила не может превышать безопасную величину тока коллектор-эмиттер, В этом случае компонент будет необратимо разрушен из-за перегрева. Нужно подбирать компонент, который способен выдержать это напряжение, иначе он выйдет из строя, и транзистор 5aw smd станет «включенным», а не «выключенным». Еще одна вещь, которую следует учитывать при применении электротехнического компонента в качестве выключателя. Для устройства требуется радиатор соответствующего размера и конструкции. Каждому компоненту требуется конечное время, чтобы начать функционировать или перейти в режим отключения.

Хотя этот период минимален, возможно меньше нескольких микросекунд, но все же не равняется нулю. На протяжении периода включения ток будет нарастать, а напряжение коллектор-эмиттер упадет до нуля. По мере того как ток увеличивается от нуля, а напряжение — снижается, будет точка, в которой они оба достигнут максимума. В этот момент происходит наибольшая потеря мощности. Точно так же максимальное рассеивание мощности происходит в транзисторе wm9 smd, переходящем из состояния ВКЛ во ВЫКЛ. Следовательно, максимальные потери мощности имеют место в переходный период изменяющегося состояния, но все же количество рассеиваемой энергии весьма умеренно, поскольку переходный период весьма мал. Для низкочастотной работы можно уменьшить выделяемое тепло. Когда частота достаточно высока, будут значительные потери мощности и соответствующее тепловыделение.

Следует отметить, что выделение тепла присуще не только пиковому состоянию, оно происходит и во время установившегося режима включения или выключения, но количество тепла в установившемся режиме довольно мало и им можно пренебречь.

Легирование полупроводников для транзисторов

При температуре абсолютного нуля чистые и совершенные кристаллы большинства полупроводников были бы изоляторами. Характерные свойства полупроводников обычно вызываются:

• Тепловым возбуждением;
• Посторонним легированием;
• Дефекты кристаллической решетки;
• Отклонение от правильного химического состава;

Электрическое сопротивление как в собственных, так и в легированных полупроводниках обычно зависит от температуры. Работа многих приборов основана на этих свойствах.

Одной из наиболее интересных особенностей полупроводниковых материалов для транзисторов 1gp smd является сильное влияние допантов на их электрические свойства. Допанты — это, по сути, точечные дефекты точнее. Они представляют собой чужеродные атомы или нарушение решетки в пределах одной частицы. Полупроводник для транзисторов р pv smd, содержащий заместительные легирующие элементы называется легированным полупроводником. В большинстве случаев идеальный полупроводниковый кристалл без дефектов не подходит для применения в классической электронике.

Мы можем разделить замещающие допанты на три группы:

1. Донор (D): атом с большим числом валентных электронов заменяет частицу из родительской решетки.
2. Акцептор (А): атом с меньшим числом валентных электронов замещает атом из родительской решетки.
3. Изовалентная примесь (I): атом другого элемента с той же валентностью, которая заменяет частицу из основной решетки.

Донорные и акцепторные допанты оказывают особенно значительное влияние на электрические свойства полупроводниковых материалов. Они позволяют получать положительные и отрицательные носителей заряда заданной концентрации.

Каждый метод легирования полупроводников для изготовления транзисторов smd rku имеет свои плюсы и минусы. Благодаря одному мы можем создавать очень сложные схемы, например, квантовые точки, но это также в то же время это дорого. Кроме того, не существует универсального метода легирования. Реализация позволяет проводить глубокое легирование повреждая в процессе структуру кристаллической решетки.