SOT транзисторы

Транзисторы относятся к числу основных активных компонентов. С точки зрения непрофессионала, транзисторы составляют основную часть всей современной электроники и компьютерных технологий. Каждый микрочип содержит сотни тысяч миниатюрных транзисторов, обеспечивающих огромную вычислительную мощность для самых разных приложений. Тем не менее, транзистор по-прежнему занимает свое место сегодня как дискретный компонент.

Принцип работы биполярного транзистора

Первые германиевые транзистор sot 23 были созданы после окончания Второй мировой войны в качестве активных компонентов, специально для авиационных радаров. Однако массовое расширение произошло примерно через двадцать лет. Их преимущество заключается главным образом в миниатюрных размерах и непропорционально меньшем расходе по сравнению с более ранними лампами.

Классические биполярные транзисторы sot 89 типа NPN и PNP представляют собой трехслойные поляризованные компоненты, где большой ток между коллектором и эмиттером управляется малым током соответствующей полярности к третьему электроду, называемому базой. Если через базу не течет ток или если она имеет обратную полярность, то транзистор закрыт и ток через него не течет.

Транзисторное явление

Способность транзистора усиливать мощность называется так называемым транзисторным эффектом, который является фундаментальным свойством транзистора. После приложения положительного напряжения к коллектору и отрицательного напряжения к эмиттеру через транзистор проходит только очень небольшой ток порядка наноампер6 этот ток увеличивается с температурой. Для того чтобы через транзисторы sot 223 протекал больший ток, к базе через резистор должно быть приложено положительное напряжение. Это откроет переход база-эмиттер, напряжение должно быть не менее 0,7 В. В транзисторе NPN дырочный ток течет в базу. Поскольку база очень тонкая, она быстро заполняется дырками и к ней начинают течь электроны от эмиттера. Некоторые переходят к положительному полюсу истока через базу, но большинство притягивается положительным напряжением на коллекторе, и через транзистор начинает проходить ток коллектора, во много раз превышающий ток базы.

Чем больше ток базы, тем больше ток коллектора. Это можно объяснить тем, что с увеличением тока базы увеличивается количество свободных носителей заряда и, следовательно, уменьшается сопротивление транзистора, что приводит к увеличению тока коллектора и одновременному уменьшению напряжения между коллектором и эмиттером. Если это напряжение падает до уровня нескольких десятых вольта, мы говорим, что транзистор насыщается. В этом состоянии через него также проходит относительно большой ток при ничтожных потерях мощности. Состояние насыщения используется, когда транзистор sot 323 работает как переключатель. Если мы увеличим напряжение между коллектором и эмиттером при постоянном токе базы, ток коллектора сначала будет быстро расти и в конце концов стабилизируется на почти постоянном значении, и транзистор начнет вести себя как источник постоянного тока.

Транзисторы как переключатели

Основная функция заключается в электронно- управляемом переключении и усилении электрического сигнала. Хотя слава простых биполярных уже давно закончилась, все же можно приобрести типы в корпусах для поверхностного и SMD монтажа. Эти транзисторы будут использоваться не только любителями, но и профессиональными компаниями, разрабатывающими мелкосерийную и мелкосерийную электронику различного назначения. Транзистор можно использовать, например, для схем типа:

1. Простые стабилизаторы напряжения.
2. Коммутация цепей.
3. Источники напряжения.
4. Аудио усилители.
5. Регулировка мощности.
6. Силовые транзисторы.

С развитием техники использование дискретных компонентов переместилось в область силовой электроники и регулирования мощности, например, тяговых двигателей. С помощью силовых IGBT транзисторов sot 363 можно экономично регулировать мощность там, где раньше решение предлагалось только в неэкономичных и энергоемких резисторных системах с дополнительной армией контакторов, а позднее — в использовании силовых тиристоров и диодов позволяют применять различные методы регулирования, от ШИМ до интеллектуального управления мощностью, даже в самых больших машинах мощностью порядка мегаватт.

В настоящее время известно несколько сотен компонентов для всех возможных применений, от простых биполярных до полевых MOSFET и силовых компонентов IGBT.

Что такое разбивка BJT?

Вместе со смещением площадь перехода коллектора растет, а эффективная площадь, наоборот, уменьшается. При осуществлении обратного перехода место объединения перекрывает и снижает эффективную ширину практически до нуля. Когда коллектора проникает в базу, а барьер в рамках эмиттерного перехода уменьшается. Таким образом, эмиттерный ток возрастает. Данное явление носит название «Сквозной удар». Существует целый ряд применений BJT. Компоненты применяются в ряде логических схем в качестве усилителя. Также эти компоненты часто выступают выключателями. А в схемах ограничения предпочтителен биполярное решение для схем смены формы сигнала. В схемах демодуляции применение биполярных компонентов также присутствуют дополнительные компоненты BJT — популярный тип силовых компонентов, который широко используется в усилителях и генераторах. Основные достоинства и недостатки: 

• Более высокий коэффициент усиления;
• Значительная плотность тока;
• Повышенная пропускная способность;
• Стабильность работы при сохранении более высоких частот;
• Биполярный транзистор характеризуется низкой стабильностью;
• Их работа характеризуется большим количеством шума. Таким образом, схема не имеет защиты от шума;
• Отличается низкой частотой переключений;
• Время переключения BJT достаточно длительное.