Транзисторы, относящиеся к биполярным, представляют собой кремниевую пластину, разделенную на три части n-p-n с двумя положительно-отрицательными p-n переходами между ними. Разные типы проводимости достигнуты за счет добавления легирующих элементов. В конструкции используется два вида носителей заряда: дырки и электроны, принимающие участие в передаче электрического тока через кристалл.

Особенности биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы в основном выполняют функции переключателей и усилителей, поэтому часто применяются в компьютерах, усилителях звука, устройствах контроля, смартфонах, телевизорах и мобильных телефонах.

Конструктивно все такие компоненты состоят из трех участков: исток (эмиттер), сток (коллектор) и затвор (база). Эмиттер и коллектор имеют одинаковую проводимость, отличную от базы. Каждая из областей оснащена своим выводом. 

К достоинствам биполярных транзисторов относится их способность работать на низких и высоких мощностях. Устройства обладают небольшим падением напряжения на фоне повышенной плотности тока. Биполярные транзисторы также отличает высокая пропускная способность и отличная производительностью на высоких частотах. 

К недостаткам прибора относится его чувствительность к радиационному излучению. Поток радиоактивных частиц может привести к накоплению дефектов в районе базы, что негативно влияет на срок эксплуатации, снижает коэффициент усиления.

Стоимость транзисторов зависит от компании-производителя, типа корпуса, конструкции и используемых материалов.

Транзистор марки E13009

Транзистор E13009 представляет собой силовое биполярное высоковольтное NPN устройство быстрого переключения. Данный электронный компонент выпускается сразу несколькими производителями под слегка видоизмененными маркировками. Так, он известен как транзистор ST13009 от STMicroelectronics, HE13009 от Huashan Electronics или KSE13009 от Fairchild Semiconductor, а под наименованием MJE13009 его производит целый ряд компаний: Unisonic Technologies, Savantic, Tiger Electronic, KEC (Korea Electronics), Inchange Semiconductor, Mospec Semiconductor, Motorola, ON Semiconductor и другие. 

Транзистор выпускается в корпусе ТО-220. Он отличается низким разбросом динамических параметров, возможностью работы при высоком напряжении и очень высокой скоростью переключения.

Устройство изготовлено с использованием высоковольтной мультиэпитаксиальной планарной технологии для высоких скоростей коммутации. Оно не содержат свинца и соответствуют требованиям RoHS.

Силовой кремниевый N-канальный транзистор E13009-2 разработан для высоковольтных высокоскоростных источников питания и коммутации индуктивных цепей, где критично время спада. Он особенно подходит для импульсных приложений на 115 и 220 В, таких как импульсные регуляторы, инверторы, двигатели, элементы управления, драйверы соленоидов/реле и цепи отклонения.

• Максимальные рабочие параметры транзистора:
• Напряжение коллектор-эмиттер: 400 В пост.;
• Напряжение коллектор-эмиттер: 700 В пост.;
• Напряжение эмиттер-база: 9 В пост.;
• Ток коллектора непрерывный/пик: 12/24 А;
• Базовый ток непрерывный/пик: 6/12 А;
• Ток эмиттера непрерывный/пик: 18/36 А; 
• Общее рассеивание устройства_ 0,016-0,8 Вт;
• Диапазон температур: от −65 до +150 С.

Транзисторный компонент TL431

Устройство TL431 – это транзисторный шунтовой регулятор с тремя выводными клеммами, обладающий гарантированной стабильностью температурных значений в применимых автомобильных, промышленных и военных приложениях. Его напряжение на выходе подлежит регулированию в пределах значений между Vref (около 2,5 В) и 36 В при использовании пары дополнительных резисторов. 

SMD транзисторы 431 характерны типовым выходным резистивным импедансом 0,22 Ом. Интерактивная схема обуславливает чрезвычайно резкие параметры включения, в связи с чем данный компонент является прекрасной альтернативой стабилитронам в различных приложениях, например, в интегрированных регуляторах или импульсных источниках питания. Устройство TL432 имеет те же функции и электрические характеристики, что и транзистор 431.

Функциональные характеристики:

1. Соответствует стандарту AEC-Q100.
2. Напряжение на выходе подлежит регулировке от 2,5 до 36 В.
3. Поддерживаемый ток стока: от 1 до 100 мА.
4. Типичное сопротивление на выходе: 0,22 Ом.
5. Точность вольтажа от 0,5% до 2%.
6. Температурный диапазон для автомобильных приложений от -40 °C до +125 °C.

Биполярный транзистор 2SC4106

Силовой электронный компонент 2SC4106, который известен также по краткой справочной маркировке как транзистор C4106 — это трехвыводное устройство типа NPN в корпусе ТО-220 с максимальными значениями напряжения 400 В между коллектором и эмиттером, 500 в между коллектором и базой и 7 В между базой и эмиттером. Его пиковый непрерывный ток составляет 7 А, рассеиваемая мощность коллектора — 50 Вт, а частота перехода – 20 МГц. Коэффициент усиления постоянного тока может лежать в диапазоне от 15 до 50, в зависимости от модификации. Так, для модели 2SC4106L он будет в пределах от 15 до 30, для 2SC4106M — от 20 до 40, а для — от 30 до 50.

Иногда на корпусе данного транзистора может указываться маркировка «2S» вместо полного наименования. Он может применяться в импульсных регуляторах 400 В/7 А и отличается большим напряжением пробоя и высокой надежностью. Также устройству характерны высокая скорость переключения, широкий АСО и внедрение процесса MBIT.