TIP127

Биполярный PNP транзистор TIP127 собран по классической схеме кремниевых силовых транзисторов с эпитаксиальной – наращиваемой послойно – конструкции. Монолитная конструкция транзистора собрана по концепции транзистора Дарлингтона в прочном едином корпусе типа TO-220. 

Преимущество транзистора по схеме Дарлингтона

Преимущество такого каскадного последовательного транзистора – усиление одного сигнала вторым, встроенным транзистором и получение на выходе высокого значения. Таким образом можно получить надежную и простую по концептуальному и практическому решению систему для работы с высокими токами.

Особенности транзистора

Конструкция транзистора предусматривает его использование в силовых линиях, например, для схем стабилизации напряжения, каскадных выходных усилителях. В этом случае транзистор можно рассматривать как устройство с высоким импедансом и одновременно минимальным выходным током.

Основное назначение этой модели транзистора – линейные и силовые коммутационные устройства.

Высокая мощность устройства: входной номинальный ток 100В

Транзистор TIP 127 относится к самому мощному устройству в линейке транзисторов TIP120…127. Ток на линии коллектор-база и коллектор-эмиттер – не более 100 В.

Напряжение на участке эмиттер-база – 5 В.

Номинальная сила тока коллектора – 5А. Пиковый максимальный ток для коллектора – составляет 8 А. Ток на базе транзистора – не должен превышать показателя 0,1 А

Номинальная рассеивающая мощность – 65 Вт при температурном режиме до +25С.

Предельная температура работы в базовых показателях и для соблюдения вольт-амперных характеристик – не более +125С.

Ток отсечения и коэффициент усиления

Ток отсечения на коллекторе – 500 мкА. Коэффициент усиления hFE (по постоянному току) – 1000, если сила тока составляет не менее 3 А, а напряжение – 3 В. Минимальный показатель для пробоя на линии коллектора и эммитера – 100 или более вольт напряжения.