Транзистор 13005

Транзистор 13005 относится к высоковольтным быстродействующим биполярным устройствам. Область его применения распространяется на схемы с высокими напряжениями 115 В или 220 В, устройства высокоскоростной связи, где время имеет решающее значение. Производители электронной аппаратуры предпочитают купить 13005 транзистор для комплектации схем систем управления двигателями, инверторов, импульсных регуляторов, преобразователей, драйверов электромагнитных пускателей, высокочастотных импульсных источников питания. Цена транзистора 13005 экономически обоснована и намного превышает его высокие эксплуатационные характеристики.

Описание транзистора 13005

Транзистор MJE13005 создан на базе кремниевой пластины. Устройство имеет n-p-n структуру, выпускается в герметичном пластиковом корпусе ТО-220 на три вывода. Термин ТО расшифровывается как схема транзистора, но, помимо транзисторов, корпус применяется для стабилизаторов, выпрямителей, мощных компонентов, монтаж которых выполняется по технологии сквозных отверстий. Конструкцией предусмотрено одно крепежное отверстие – под винт ∅2.28. К особенностям корпуса относится металлический выступ с одной из сторон, благодаря которому достигается лучший отвод тепла от полупроводника. Возможно соединение выступа посредством электрической схемы. Для улучшения теплопередачи практикуется нанесение термопасты между корпусом и радиатором.

Основные технические характеристики транзистора MJE13005:

• предельно допустимый ток коллектора 4А;
• высокая скорость переключения;
• максимальное напряжение коллектор–эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы равно 400 В;
• коэффициент усиления по току в диапазоне 8-40;
• предельная мощность рассеивания коллектора составляет 75 Вт;
• транзистор может работать в температурном диапазоне -65 – 150 град. С.
• вес 2,5 г.

Прибор имеет безсвинцовую версию – MJE13005G. Аналоги транзистора 13005: BUJ103A, FJP13007, MJE8502, MJE13071, KSE13007F, 2SC3795A, KSE13009.

Особенности биполярных транзисторов

Транзистор 13005 относится к биполярным, изготовлен из кремниевой пластины, разделенной на три части n-p-n с двумя p-n переходами между ними. Разные типы проводимости достигнуты за счет добавления легирующих элементов. В конструкции используется два вида носителей заряда: дырки и электроны, принимающие участие в передаче электрического тока через кристалл. Биполярные транзисторы зачастую выполняют функции переключателей и усилителей, их можно встретить в компьютерах, усилителях звука, устройствах контроля, смартфонах, телевизорах, мобильных телефонах. 

Три области биполярного транзистора:

1. Эмиттер. По сравнению с коллектором, имеет меньшие размеры.
2. База – очень тонкая область.
3. Коллектор.

Эмиттер и коллектор имеют одинаковую проводимость, отличную от базы. Каждая из областей оснащена своим выводом. К достоинствам биполярных транзисторов относится их способность работать на низких и высоких мощностях. Устройства обладают небольшим падением напряжения на фоне повышенной плотности тока. Биполярные транзисторы отличает высокая пропускная способность, обладают отличной производительностью на высоких частотах. К недостаткам прибора относится его чувствительность к радиационному излучению. Поток радиоактивных частиц может привести к накоплению дефектов в районе базы, что негативно влияет на срок эксплуатации, снижает коэффициент усиления.