Транзистор bc327

Биполярные транзисторы и униполярные транзисторы бывают самых разных разновидностей. Каждый из них имеет разные свойства, даже если они находятся в одном корпусе. Какая разница?

Униполярные транзисторы

Принцип работы транзисторов bc327 40 заключается в протекании носителей электрического заряда через так называемые канал. Это небольшой участок в полупроводниковой структуре, через который протекает ток между двумя электродами. Затвор генерирует электрическое поле, способное создать благоприятные для этого потока условия или, наоборот, заблокировать его.

Каждый униполярный транзистор может иметь канал из полупроводника с разным методом проводимости. Поэтому на рынке доступны транзисторы как n-канального, так и p-типа. В первых текут электроны, а во вторых положительно заряженные дырки — области с недостающим валентным электроном.

Их конструкция и принцип действия одинаковы. Они различаются знаками напряжений и направлениями токов. У них также немного разные параметры, потому что электроны ведут себя в кристаллической структуре несколько иначе, чем дырки.

JFET-транзисторы

Junction Field Effect Transistor — это простейший тип униполярного транзистора bc327 25. Затвор должен быть изготовлен из полупроводника другого типа, который окружает область канала с каждой стороны.

Интересной особенностью этого транзистора является то, что он проводит ток без смещения затвора. Площадь канала при этом имеет небольшое сопротивление, порядка десятка или нескольких десятков Ом, и ток, который затем может протекать по нему, представляет собой так называемый ток насыщения, отмеченный в каталогах символом IDSS. Это максимально допустимый ток стока в JFET.

Путем поляризации ворот относительно источника можно добиться такого эффекта:

• Отрицательного, для n-канальных транзисторов;
• Положительного для p-канальных транзисторов.

Предельное значение — когда транзистор перестает течь — тогда электрическое поле, создаваемое затвором, настолько велико, что полностью тормозит поток носителей через канал. Это значение называется пороговым напряжением транзистора. 

На рисунке ниже приведен пример формы переходной характеристики транзистора с каналом n-типа, которая на большой площади имеет ход, аналогичный квадратичной функции. Очень интересной особенностью транзисторов JFET является отсутствие потребления тока через затвор. При правильной работе этого элемента он постоянно имеет обратную полярность по отношению к площади канала — диод, образующийся на стыке двух областей, остается полностью забитым. Таким образом, входное сопротивление этого элемента почти бесконечно.

Транзисторы JFET являются маломощными компонентами. Они используются в предусилителях и схемах согласования импеданса, а также могут использоваться в качестве простых источников тока. Следующий тип транзистора лучше подходит для пропускания больших токов.

МОП-транзистор

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — полевая модель, аналог транзистора bc327 с металлическим затвором, изолированным от канала оксидным слоем, обычно кремнием. Эти транзисторы имеют два типа исполнения:

1. С каналом обеднения (ток пропадает при подаче напряжения на затвор.
2. С обогащенным каналом, в котором ток стока начинает появляться после смещения затвора.

Будет обсуждаться только последний тип, так как в настоящее время он является наиболее распространенным и имеет наибольшее количество применений. Транзисторы с каналом истощения почти находятся в упадке, потому что JFET работают аналогично им. Оба типа могут быть n- или p-канальными.