Транзистор IRF540N

IRF540N относится к MOFSET транзисторам третьего поколения с проводимостью n-типа, разработан с учетом применения в составе реле, систем управления двигателями, источников бесперебойного питания. Использованная при создании устройства технология HEXFET позволила увеличить мощность на фоне снижения внутреннего сопротивления. Прежде чем купить транзистор IRF540N, полезно ознакомиться с особенностями структуры и эксплуатационными характеристиками компонента. 

Особенности транзистора MOFSET

Первенство в разработке полевых транзисторов принадлежит сотрудникам Bell Labs. Разработанная в 1959 году конструкция не получила достойной оценки по причине ограничений по мощности. В 1976 году специалисты Siliconix предложили свой вариант мощного транзистора с применением технологии MOSPOWER. Через несколько лет компания International Rectifier представила устройства HEXFET, не теряющие популярность и в настоящее время. На пользу развитию мировых электронных полупроводниковых технологий пошло случившееся в 1998 году приобретение Vishay компании Siliconix и в 2007 году производственных площадей International Rectifier по производству полупроводников. 

Разработанные на основе HEXFET компоненты обладают уникальной структурой. Кристалл содержит тысячи параллельно соединенных ячеек, каждая из которых работает подобно МОП–транзистору. Таким образом, производителю удалось существенно повысить выходную мощность и коммутационные способности транзистора, на фоне низкого сопротивления затвора. Открытие прибора происходит при подаче на затвор и исток требуемого напряжения.

Особенности транзистора IRF540N:

• Производится компанией Vishay под маркой SiHF540.
• Разработан по технологии HEXFET.
• Имеет три вывода.
• Относится к MOFSET транзисторам с проводимостью n-типа.
• Ранее выпускался в корпус ТО-220АВ. В настоящее время может быть запечатан TO-263 или SOT404.
• Мощность рассеиваемая 150 Вт.
• Допустимое напряжение сток–исток/затвор–исток составляет 100/±20 В.
• Работает в температурном диапазоне от -55 до +175 град.
• Предельный ток нагрузки составляет 28 А.
• Сопротивление сток–исток при открытом транзисторе 77 мОм.
• Аналоги транзистора IRF540N: STP24NF10, BUZ21, MTP27N10E, STP30NF10, 2SK2466.

Транзисторы IRF540N востребованы при создании стабилизаторов, электромагнитных реле, зарядных устройств, аккумуляторных батарей, источников тока высокой мощности. Компоненты применяются при создании систем коммутации, управления электродвигателями, усилителями мощности и светодиодной нагрузкой.