г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

транзистор кт 819

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

Прежде, чем давать техническую характеристику полупроводниковому триоду КТ819, нужно определить его классификацию. А делается это с помощью последней буквы или двух, которые обычно проставляются на корпусе элемента в его маркировке. Это могут быть литеры А, Г, ГМ или АМ. Но, независимо от этих букв, серия кт 819 транзисторов является среднечастотными n-p-n направленными биполярными, кремниевого типа элементами, мощность которых составляет металлизированном корпусе ТО-3) – 60-100 Вт. Производство такого рода триодов осуществляется с применением планарно-эпитаксиальной технологии.

Во времена Советского Союза купить транзистор кт819 можно было для установки в схемы стабилизации блоков питания, выходных каскадов усилителей УНЧ, а также в ряде ключевых схем. Тогда радиолюбители хорошо знали, что от назначения КТ819 зависела его цоколёвка. В те годы такие изделия производители изготавливали в корпусах двух вариантов – КТ-28 из пластика (аналог ТО-220 зарубежного производства) и КТ-9 из металлостекла (ТО-3). Такой способ изготовления сохранился и до настоящего времени. Правда в металлизированных корпусах такие триоды уже практически не изготавливаются. 

Что касается маркировки, то в корпусах из пластика КТ-28 выводы располагаются следующим образом: слева – эмиттер, справа – база, а коллектор посредине.

Alt: триод КТ819.

Техническая характеристика транзистора КТ819

Несмотря на различные модификации, которые предлагаются производителями, изделия линейки биполярных транзисторов кремниевого типа КТ819 имеют следующие максимальные технические параметры:

  • диапазоны напряжений: а) между базой и коллектором – 20-60В;
  •  б) между коллектором и эмиттером случае, когда RБЭ =< 
  •  100Ом) – 40-100Ом;
  •  в) между эмиттером и базой – 5В;
  • диапазон тока: коллектора случае tи =< 100 мс, Q≥100) – 15-20А, базы – 5А;
  • температурный диапазон p-n перехода – +125- +150оС;
  • диапазон постоянного тока на коллекторе – 10-15А, базы – 5А;
  • диапазон рассеиваемой мощности макс. случае tK =< 25оС) при наличии теплоотвода – 60-100 Вт, а без него – 1,5о – 3оС;
  • рабочий температурный диапазон – -45оС -150оС.

Более подробную информацию о технических параметрах каждой модификации транзистора кт819 предоставляет производитель в соответствующей документации. Но, нужно иметь в виду, что все показатели там подаются с учётом температуры окружающей среды – +25оС.

Помимо привычной маркировки советские производители нередко ставили в документации элемента сети – 2Т819. Этого требовали установленные условия существующего стандарта в отрасли. Символы «2Т» в этом случае говорили о том, что это биполярный, кремниевого типа транзистор.

 Alt: транзисторы КТ819А и КТ819Г.

Комплементарные изделия к транзистору КТ819

Как известно, основной функцией транзисторов биполярного типа, для чего, собственно говоря, они и созданы, является увеличение или усиление мощности электрического сигнала на входе схемы. Но, часто случается так, что мощности одного элемента для конкретного усиления не хватает. В этом случае во многих схемах составных элементов электрических цепей с целью усилить противоположные полупериоды напряжения частности, такое случается в оконечных каскадах усилителей УМЗЧ) создаются специальные комплементарные пары транзисторов в каскадах усиления. Это значит, что подбираются два транзистора различных модификаций, в которых одинаковые или почти одинаковые абсолютные показатели параметров, но, в то же время типы проводимости у них разные. После чего такие пары вводятся в схему. Так вот, такие два элемента и будут считаться комплементарными один к другому.

Alt: комплементарная пара транзисторов КТ818 и КТ819.

Подобные комбинации обычно проделывают с триодами отечественного производства. В данном случае к КТ819 транзистор КТ818 является комплементарным элементом. Именно поэтому их чаще всего вводили вместе в электрическую схему многих усилителей.