Транзистор малой мощности

Современные транзисторы выполнены на основе кристаллов кремния. За счет точечного введения легирующих элементов, разделены на зоны с разной проводимостью n- или p-типа, чаще имеют три вывода. К их достоинствам, определившим сферу применения, относится способность усиливать электрические входные сигналы. В настоящее время транзисторы стали основой большинства интегральных микросхем, где эффективно справляются с задачами по усилению, генерированию, преобразованию и коммутированию сигналов. 

Классификация транзисторов: транзисторы малой мощности

Для упаковки транзисторов применяются герметичные корпуса из пластика или керамики, выводы изготовлены из металла. Транзисторы выполнены из полупроводниковых монокристаллов. Первое устройство было разработано в 1947 году, это был низкочастотный прибор из германия. В 1953 году разработан германиевый высокочастотный транзистор. По причине высокой стоимости, дефицита в природе и низкой термической стабильности, германий не получил широкого распространения. Его с успехом заменил кремний, германиевые приборы сейчас практически не изготавливаются. Область применения транзисторов из арсенида галлия очень ограничена, распространяется только на СВЧ устройства. В зависимости от структуры, транзисторы делятся на полевые или униполярные и биполярные. 

По мощностным характеристикам выделяют транзисторы следующего вида:

• маломощные с Pmax до 0,3 Вт;
• средней мощности, их граничные показатели находятся в диапазоне от 0,3 до 1,5 Вт;
• мощные транзисторы с Pmax свыше 1,5 Вт.

Косвенно оценить мощностной потенциал прибора можно и по предельно допустимому току коллектора. Пример полупроводника на кристалле кремния – транзистор А1015. Устройство относится к биполярным со структурой p-n-p типа. Согласно японской системе JIC имеет обозначение – 2SA1015. Изготовление ведется по двум вариантам. Запечатанный в пластиковый корпус ТО-92 проводник применяется для монтажа в сквозные отверстия, в корпусе SOT-23 монтируется непосредственно на печатную плату. Несмотря на миниатюрные размеры, устройство выдерживает предельное напряжение в 50 В и ток коллектора на 150 мА. Коэффициент усиления может достигать 700. Благодаря низкому уровню собственных шумов, в интегральных схемах А1015 отлично справляется с усилением звуковых сигналов.

К достоинствам полевого MOSFET транзистора 40N03P с проводимостью n-типа относится значительная скорость срабатывания, низкое сопротивление и высокая надежность. Прибор находит применение в бытовой технике, импульсных блоках питания, преобразователях электрической энергии. Устройство соответствует европейским нормативам по экологической безопасности. Транзистор создан на основе разработанной IRF технологии TrenchFET, что позволило значительно снизить габариты прибора, уменьшить его стоимость и повысить эксплуатационные характеристики. 

Особенности транзистора 40N03P:

1. Полевой MOSFET транзистор с проводимостью n-типа.
2. Допустимое напряжение затвор–исток до 20 В.
3. Напряжение сток–исток не должно превышать 30 В.
4. Ток стока не более 55 А.
5. Допустимая мощность рассеивания 120 Вт.
6. Диапазон рабочих температур составляет от -55 до +150 град С.
7. Время нарастания импульса открытия – 11 нс.

При выборе транзистора обращают внимание на граничные показатели, они должны быть не менее чем на 30% выше рабочих.

Описание транзистора D882P

К биполярным, но уже n-p-n типа относится транзистор D882P. Полное наименование прибора – 2SD882. Транзистор нашел применения в схемах усилителей низкой частоты, преобразователях и импульсных приборах. При граничном токе через коллектор в 3 А, максимально допустимое напряжение коллектор–база/коллектор–эмиттер/эмиттер–база не должно превышать 40/30/6 В. Выпускается в корпусах SOT-89 и TO-126. Коэффициент усиления транзистора по току зависит от модификации, находится в диапазоне от 60 до 400. 

Один из производителей транзистора NEC D882P – компания NEC Corporation, Japan. Предприятие создано в 1899 году. Начиная с изготовления устройств телефонии, производитель постепенно переключился на коммуникационное оборудование, является крупным поставщиком медицинского, аэрокосмического, агротехнического, транспортного и промышленного оборудования. Начиная с 50-х годов прошлого века, корпорация приступает к изготовлению полупроводниковой продукции и выделяет производство транзисторов в отдельное подразделение, которое с 2002 года становится независимым предприятием. В настоящее время на NEC Electronics Corporatio трудится свыше 24,0 тыс. специалистов. Компания имеет 26 подразделений, из которых 12 расположены в Японии.