Транзистор полевой Mosfet

МОП–транзисторы составляют основу современных электронных устройств. В противовес биполярным, нашедшим применение в аналоговой технике, они доминируют при создании устройств цифровой электроники. Область применения распространяется на цифровые микросхемы, импульсные источники питания, усилители звука, компьютерные периферийные устройства. Без Mosfet транзистора невозможно представить ультразвуковые и высокочастотные генераторы, оборудование для цифровой связи. Хорошо известно, что усилитель на полевых транзисторах Mosfet за счет устойчивости к перегрузкам и меньшим искажениям, отличается более высокими эксплуатационными характеристиками, по сравнению с прибором на биполярном.

Конструкционные особенности Mosfet транзистора

Транзисторы Mosfet или МОП–транзисторы относятся к полевым с изолированным затвором, с их помощью за счет управляющего напряжения ведется управление параметрами электрической сети. По конструкционному исполнению транзистор Mosfet – это полупроводниковый триод на три вывода: сток, исток и затвор. Со стороны, противоположной выводам, расположен металлический вывод подложки, его соединяют с истоком. При подаче напряжения на исток и сток, внутри полупроводника создается канал, по которому перемещаются дырки или электроны, это зависит от проводимости: n-канальная или p-канальная. Величина тока в канале зависит и регулируется за счет напряжения между затвором и одним из выводов. 

Преимущества Mosfet транзистора:

• нечувствительность к перепадам температур;
• низкий уровень шума;
• высокая скорость срабатывания;
• управление значительными мощностями с помощью малых мощностей.

Для изготовления транзисторов чаще задействуют кремний, металлический затвор отделяют от канала изолирующим слоем. Mosfet транзисторы могут быть представлены в миниатюрном исполнении, с минимальным весом и габаритами 30-100нм, что позволяет на кристалле в несколько квадратных сантиметров поместить миллиарды транзисторов. Например, транзистор Mosfet полевой NH33AB 756395 имеет вес в 2,16 г. При создании интегральных микросхем практикуется размещение транзистора на одном кристалле с микроконтроллером, микросхемами логики и памяти.