Транзистор SMD 2

Сегодня транзистор wts smd применяются  буквально повсюду. В усилителях, источниках тока, стабилизаторах, генераторах, в качестве электронного ключа, используются для построения логических элементов в интегральных схемах, используются в ОЗУ и ПЗУ. Без них расцвет электроники и оцифровки был бы невозможен, образ жизни, который мы знаем, был бы невозможен. Транзисторы — трехэлектродные полупроводниковые безделушки, усиливающие сигнал. Во второй половине 20 века они заменили и вытеснили электронные лампы, положив начало эпохе миниатюризации электронных устройств — карманных транзисторных радиоприемников, портативных телевизоров. Сегодня в микропроцессорах, представляющих собой системы высочайшего масштаба интеграции, их количество превышает миллиард. Поэтому масштабы их производства огромны — сейчас ежегодно производятся триллионы транзисторов.

Первые патенты на транзисторы были зарегистрированы в двадцатых годах прошлого века, но из-за недостаточного технологического уровня (необходимость поддержания соответствующей степени чистоты материалов) в то время не удалось сконструировать транзистор. Первое успешное испытание было проведено в 1947 году в Bell Labs. Джон Бардин и Уолтер Хаузер Браттейн создали первый транзистор с рабочей точкой. Однако у них возникли проблемы с получением патента из-за ранее упомянутой регистрации немецкого ученого Юлиуса Эдгара Лилиенфельда, чьи идеи были похожи на более поздний MOSFET-транзистор.

В последующие годы конструкция была изменена – Уильям Брэдфорд Шокли разработал конструкцию биполярного переходного транзистора, который был готов в 1950 году. В 1956 году Бардин, Браттейн и Шокли были удостоены Нобелевской премии за изобретение транзистора. К сожалению, не все работы были должным образом отмечены. Такая судьба постигла «transistron», разработанный двумя немецкими физиками Гербертом Матаре и Генрихом Велкером, работавшими в парижском филиале компании Westinghouse, которые в 1949 году завершили самостоятельную работу над своей версией транзистора.

Еще один легированный компонент

Полупроводниковые материалы использовались при разработке транзистора. Полупроводники представляют собой кристаллические вещества, характеризующиеся переменной электропроводностью, которая может модифицироваться легированием, освещением, нагревом и другими факторами. Другими словами, при определенных условиях полупроводниковый материал транзистора 3fp smd будет вести себя как диэлектрик, а при других условиях он будет проводить электричество. Наиболее часто используемые материалы этого типа в электронике включают кремний, германий, арсенид и нитрид галлия и антимонид индия.

Хотя общим для всех транзисторов является тип материала, из которого они изготовлены, принцип работы транзисторов несколько отличается из-за различия их типов. Самое важное деление среди транзисторов — на биполярные и полевые транзисторы. Не вдаваясь в типологию и классификацию, следует сказать, что биполярные транзисторы состоят из трех полупроводниковых слоев — каждый слой имеет по одному выводу: 

• Эмиттер;
• База;
• Коллектор. 

Если мы приложим напряжение к базе относительно эмиттера, электроны будут течь от эмиттера к базе. Полупроводниковая область базы очень тонкая и туда пойдет только часть электронов, большая часть электронов достигнет коллектора. Таким образом, изменяя ток базы, можно регулировать ток коллектора. Другими словами, небольшой ток, протекающий между базой и эмиттером, контролирует больший ток, протекающий между эмиттером и третьим электродом коллектора. Отношение двух токов и есть коэффициент усиления транзистора 6bs smd по току. Таким образом, раскрывается основное свойство транзистора — способность усиливать сигнал.

В случае полевого транзистора ток управляется электрическим полем. Полевой транзистор изготовлен из куска кристалла, легированного полупроводником, и трех электродов: истока, стока и затвора. Между истоком и стоком есть область, называемая каналом. Вот куда течет ток. Напряжение, подаваемое на затвор, создает электрическое поле, влияющее на распределение носителей тока в канале. Это приводит к изменению сечения канала, что проявляется в изменении сопротивления сток-исток — так регулируется ток, протекающий между истоком и стоком.

Разработка транзисторов

Современные устройства требуют все более плотной упаковки транзисторов. Их количество в одной интегральной схеме удваивается каждые два года. В Intel 486 1989 года было более миллиона транзисторов, в Pentium 1993 года — 3 миллиона, а в двухъядерных процессорах — более 1,5 миллиарда. Показателем технического совершенства процесса и плотности размещения элементов интегральной схемы является минимальная длина канала. Его называют характерным размером — чем он меньше, тем выше упаковка компонентов и тем быстрее работает система. В последующих поколениях интегральных схем характерный размер последовательно уменьшается. Длины каналов современных транзисторов z7w smd составляют порядка нанометров, и процесс их миниатюризации продолжается до сих пор.

Однако Гордон Э. Мур, соучредитель Intel, прогнозирует, что примерно к 2025 году из-за физических барьеров процесс миниатюризации остановится. Конечно, еще можно будет увеличить площадь поверхности интегральной схемы, или разместить транзисторы слоями. Тем не менее ведутся работы по новым технологиям, включая транзисторы 3415 smd из углеродных нанотрубок и фуллеренов, квантовые системы.