транзисторы irf

Немецкая компания Infineon Technologies AG была создана в 1999 году уже известным на то время брендом Siemens, что позволило ей быстро влиться в рынок полупроводниковых приборов. С тех пор компания занимается масштабными поставками силовых полупроводников, включая модульные устройства и дискретные элементы. Сегодня в продаже часто встречаются мощные IRF транзисторы, которые широко применяются в соответствующем оборудовании. 

Распространенные модели

Под маркировкой IRF чаще всего скрываются именно полевые модели транзисторов типа MOSFET. Данная разновидность управляется посредством электрического поля, поэтому не стоит путать ее с J-FET, где прохождение тока контролируется посредством p-n переходов. 

Современные MOSFET являются наиболее продвинутыми представителями мира полевых транзисторов, обладая рядом преимуществ:

• максимально сниженное сопротивление открытого канала;
• повышенные динамические характеристики;
• низкая паразитная индуктивность.

Этим объясняется их быстрое и широкое распространение в производственной сфере.

Особенности корпуса

Заметной особенностью таких деталей является корпус. Его сложно спутать с другими, более привычными вариациями «упаковки» для транзисторов, встречающейся в приборах. DIRECTFET (так называется этот тип) обладает своеобразной крышкой, накрывающей всю деталь неким подобием купола. Она выполнена из металла и исполняет не только декоративную функцию. Помимо оригинальной внешности и повышения эстетичности собранной схемы, такой корпус существенно повышает теплоотдачу детали.

Рассмотрим данную особенность и ее пользу на примере транзисторов IRF 6727 и их вариациях. При способности работать с постоянным током на стоке до 32А, модель эффективна только при температурном уровне до 150 градусов по Цельсию. Поэтому допускать ее перегрева категорически нельзя. В процессе эксплуатации силовые транзисторы данной категории производят большое количество тепла и при отсутствии достаточного теплоотвода могут попросту выйти из строя. 

Пробитый транзистор можно смело выкинуть, поскольку он не способен выполнять свою работу. Именно для предотвращения таких негативных для детали (а, возможно, и для всей схемы) последствий, она оснащена поверхностным охлаждением. Плоская поверхность позволяет обеспечить дополнительное теплоотведение за счет внешнего радиатора и прослойки из термопасты, что наверняка защитит деталь от перегрева даже при длительной работе.

Преимущества DIRECTFET

Помимо качественного охлаждения, транзисторы в таком исполнении имеют набор существенных преимуществ по сравнению с более ранними корпусами типа D-PAK или SOT:

• существенная экономия места на плате (до 60%);
• повышение рассеивающей способности;
• минимальные показатели сопротивления выводов;
• доступная стоимость.

Это выводит данную новинку на рынке радиодеталей в лидеры по продажам и популярности.

Область применения

Как и другие MOSFET модели, IRF широко применяют в серверных системах для обеспечения подачи питания, а также ряде других устройств:

• рабочих станциях;
• телекоммуникационном оборудовании;
• ноутбуках (блоки питания);
• электроприводах.

Причем, встретить их можно не только в перечисленных устройствах.

Например, для сборки аудиосистем в зависимости от желаемых параметров можно, например, купить транзистор IRF 6665 или другую модель из этой линии.