г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

транзисторы подсветки

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

Транзисторы подсветки — это не фототранзисторы, фотодиоды или любые другие элементы, преобразующие свет в электричество. Вместо этого световой транзистор (более известный как оптический транзистор или фотонный транзистор) работает как трехконтактный переключатель, где фотоны являются единственными входами и выходами. Практически транзистор подсветки можно построить на любой полупроводниковой пластине с использованием стандартных процессов осаждения и травления, а выходная эффективность и длина волны будут зависеть от оптической ширины запрещенной зоны и других диэлектрических свойств полупроводника.

Структура транзистора подсветки

Хотя световые транзисторы SOT89 и других типов исследовались в течение некоторого времени, они бывают разных структур и используют различные механизмы для обеспечения переключения.

Alt: Оптические транзисторы

В общем, оптический транзистор может иметь очень простую структуру: он должен принимать и удерживать некоторое количество света, поступающего через один порт (источник/коллектор в биполярных/МОП-транзисторах), и метод модуляции выходного света путем управления вторым выводом (база/затвор). Некоторые общие структуры, разрабатываемые для ряда полупроводников, включают:

  • Оптические микрорезонаторы усилением и без);
  • Тонкопленочные полости;
  • Фотонно-кристаллические резонаторы с активной рамановской усиливающей средой;
  • Полости на основе нанопроволок;
  • Полости кольцевого резонатора.

Эти структуры обеспечивают интенсивное удержание света за счет конструктивной интерференции на определенных частотах. Как только свет индуцируется в структуре, выходной сигнал может быть опрошен или получен непосредственно стробирующим импульсом на второй клемме. Обратите внимание, что вывод затвора в оптическом транзисторе не является физическим выводом; это место, где применяется второй световой импульс, чтобы заставить систему переключаться между состояниями и излучать свет.

Транзистор марки TIP142 

Транзистор TIP142 представляет собой NPN-транзистор Дарлингтона. Это означает, что он содержит два транзистора в одном корпусе, которые соединены особым образом (что можно увидеть на схеме на изображении ниже), чтобы многократно увеличить коэффициент усиления транзистора.

Alt: NPN-транзистор Дарлингтона TIP142

Как показано на рисунке выше, первый вывод транзистора — это база, второй — коллектор, а третий — эмиттер.

TIP142 — это транзистор серии TIP14x, другие NPN-транзисторы этой серии — TIP140 и TIP141. Существует некоторая разница в напряжении и токе между этими тремя моделями, такими как поддерживающее напряжение коллектор-эмиттер, ток отсечки коллектора, напряжение коллектор-эмиттер и т. д. Если вы управляете нагрузкой ниже 60 В, можете использовать любой из них, но если, например, нагрузка 100 В — для применения подойдет только TIP142 из этих трех. Комплементарные PNP-транзисторы этой серии — TIP145, TIP146 и TIP147, это PNP-дополняющие типы для TIP140, TIP141 и TIP142, соответственно.

Данное устройство чаще всего изготавливается в корпусе TO-218 или SOT-93, однако иногда может быть представлено как SMD транзистор SOT89, ТО-3П или ТО-247 версии.

Все транзисторы этой серии, независимо от того, являются ли они NPN или PNP канальными, предназначены для использования в приложениях общего назначения, таких как усиление и переключение. При использовании в качестве переключателя максимальная нагрузка, которую может выдержать этот транзистор, составляет до 10 А, а максимальное напряжение нагрузки может достигать 100 В. Максимальное усиление постоянного тока до 1000.

Описание транзистора типа MJE13003

Устройство MJE13003 представляет собой кремниевый транзистор BJT, доступный в корпусах TO-126, TO-92 и прочих упаковках, которые могут немного отличаться разными параметрами, например, током, рассеиванием или напряжением стока. Данная модель выпускается разными полупроводниковыми производственными компаниями и может немного отличаться символьной маркировкой. Возможные варианты наименования включают MJE13003, APT13003S, ST13003, KSE13003T и т. д.

Alt: Биполярный кремниевый транзистор MJE13003

Транзистор MJE13003 – недорогое устройство, выполненное по особой технологии, обеспечивающей стабильность и надежность работы при высоком вольтаже с чрезвычайно высокой скоростью переключения. Транзистор пригоден для эксплуатации с напряжением сток-затвор 400 В постоянного тока и напряжением сток-исток 700 В DC, что делает его оптимальным для применения в различных приложениях высокого напряжения переменного и постоянного тока. Это устройство также можно использовать для переключения и усилительного функционала общего назначения:

  1. Схемы инвертора.
  2. Схемы ИБП.
  3. Подсветка.
  4. Источники питания.
  5. Схемы зарядного устройства аккумулятора.
  6. Контроллеры двигателей.
  7. Аудиоусилители.
  8. Переключение высокого напряжения постоянного тока.
  9. Переключение низкого напряжения постоянного тока.

Долгий срок службы и стабильная работа компонента в схеме являются важным фактором, о котором следует помнить, когда вы проектируете схему или собираете ее по уже готовому проекту. Максимальная нагрузка не должна превышать 1,5 А и 400 В постоянного тока. Всегда используйте подходящий радиатор с транзистором, не храните и не используйте транзистор при температуре ниже -65 градусов по Цельсию и выше +150 градусов по Цельсию.