г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ВС847С

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

Несколько лет назад в промышленности для увеличения мощности поступающего электрического сигнала использовались электроваккуумные триоды. Однако постепенно их вытеснили биполярные транзисторы, которые отличаются компактными размерами, что позволяет уменьшить в размере конечную продукцию. На сегодняшний день в промышленности широко используется транзисторы типа ВС 847С.

Alt: внешний вид детали

Технические характеристики

ВС847С по своей структуре относится с NPN транзисторам. Этот тип имеет свою особенность, а именно он состоит из трех слоев кремния, которые соединяются в порядке: Negative-Positive-Negative и обладает следующими характеристиками:

  • напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В;
  • напряжение коллектор-база, не более: 50 В;
  • напряжение эмиттер-база, не более: 6 В;
  • рассеваемая мощность коллектора – до 25Вт.

Транзистор ВС847С может работать с сохранением всех своих характеристик в широком диапазоне температур — от -55 до 175 градусов Цельсия.

Устройство и принцип работы

Биполярные транзисторы, в том числе и ВС847С, имеют три контакта:

  • коллектор;
  • базу;
  • эмиттер.

Когда транзистор подключается к источнику питания, то на коллектор осуществляется подача «большого», а на базу «небольшого» тока. При таких условиях происходит разблокировка тока на коллекторе. Чтобы заблокировать процесс, необходимо заземлить базу. Эмиттер служит для прохождения тока как с коллектора, так и с базы при «открытом» транзисторе.