Высокочастотные транзисторы

Мощные полупроводники, к которым относятся мощные высокочастотные транзисторы, занимают особое место на рынке электроники. Область их применения распространяется на системы регулирования, управления, стабилизации. Устройства широко внедряются в телевизионное оборудование, импульсную аппаратуру, системы управления двигателями внутреннего сгорания, преобразовательные устройства. 

Высокочастотные биполярные транзисторы: особенности

К одним из важных показателей усилителей малых сигналов относится чувствительность к перегрузкам, связанная с шумами случайных колебаний тока. Их появление в транзисторах связывают с потоком носителей электронов и повышенной температурой. Второй показатель зависит от сопротивления полупроводника, при увеличении температуры тепловой шум растет. Под шумом транзистора понимают тот шум, который создается в самом усилителе. Для его писания применяют показатель отношения сигнал/шум на входе и выходе. Измерение коэффициента шума выполняется на частоте в 1000 Гц при активной составляющей собственного сопротивления 600 Ом. В основные показатели СВЧ транзисторов входит выходная мощность. 

В зависимости от частотного диапазона, транзисторы делятся на три большие группы:

• низкочастотные, в которых частота коэффициента передачи тока не более 3 МГц;
• высокочастотные с граничной частотой до 300 МГц;
• при граничной частоте более 300 МГц, транзисторы относятся к сверхвысокочастотным.

ВЧ и СВЧ транзисторы имеют склонность к самовозбуждению и более высокие по цене. С их помощью конструкторы получили возможность разрабатывать миниатюрные передатчики небольшой мощности, отлично работающие на любительских диапазонах. 

Для изготовления биполярных транзисторов чаще всего применяют кремниевую пластину, в нее внедряют два шарика примесей. Посредством диффузии, происходящей во время температурной обработки, образуются два р-п перехода и формируется р-п-р транзистор. При создании полупроводников используется несколько вариантов диффузии: односторонняя, двухсторонняя и двойная, так же применяется технология сплавления. Благодаря проникновению легирующих компонентов в структуру кремния, образуются три области с разной р или п проводимостью и два р-п перехода между ними. Выбор технологического процесса зависит от технических и экономических требований к полупроводникам. Маркировка транзисторов выполняется при помощи кода на 1-4 знака из букв и цифр, полное наименование может включать от 5 до 14 символов. 

Биполярный транзистор BF495

Купить биполярный высокочастотный транзистор BF495 предпочитают при разработке ВЧ приложений для радиотелевизионных приемников, FM-тюнеров, микшерных пультов, усилителей промежуточной частоты. Среди производителей компонента выделяют несколько крупных компаний по полупроводниковой продукции: Continental Device India Limited, STE, Microsemiconductor Inc, Bharat Electronics Ltd, Generate D Electricity, NXP Semiconductors. Биполярный высокочастотный транзистор BF495 аналогичен полупроводнику БФ494.

Основные характеристики транзистора BF495 согласно datasheet:

1. Изготовлен на основе кремния.
2. Имеет n-p-n структуру.
3. Допустимый ток коллектора 30 mA.
4. Максимальная мощность рассеивания составляет 300 mW.
5. Предельно допустимое напряжение коллектор–база/ коллектор–эмиттер/ эмиттер–база составляет 30V/5V/5V соответственно.
6. Корпус TO-92.
7. Емкость коллекторного перехода 0.8 pF.

Изготовитель BF495 – компания NXP Semiconductors организована в 2006 году в Нидерландах. Предприятие занимается разработкой и изготовлением полупроводниковой продукции, занимается поставкой интегральных схем для автомобильной, телекоммуникационной промышленности и бытовой техники. Особенность ассортимента NXP в высокой надежности, постоянном внедрении инновационных достижений и максимальном удовлетворении потребностей потребителей.