г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ХОРОШИЕ ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

В мире электроники важнейшее место занимают транзисторы. Это полупроводниковые триоды, изготовленные на основе кристаллов неметалла кремния и металла германия. В настоящее время кремниевые компоненты полностью вытеснили германиевые приборы. Это случилось по ряду объективных причин. Кроме того, в последнее время для изготовления транзисторов используются не только отдельные элементы, но их соединения, например арсенид галлия.

Полупроводниковые транзисторы на основе кремния

Кремний один из самых распространенных химических элементов на Земле. Его преимущества трудно переоценить. Легко добывается, прост в работе, обладает прекрасными электрическими и механическими свойствами. Важно, что при использовании в интегральных схемах он создает высококачественный оксид кремния, имеющий высокие изоляционные характеристики. Кремний широко используется в производстве чипсетов, диодов и различных транзисторов.

alt: Кремниевые транзисторы

Транзистор BC548 — это электронный полупроводниковый триод общего применения, разработанный специалистами компании Philips. Кремниевый компонент относится к классу биполярных приборов с NPN структурой. Изначально транзистор выпускался в металлическом корпусе ТО-18 под маркировкой ВС108, затем его оснастили упаковкой из качественного полимера, изменив название на ВС148. Окончательное решение — это пластиковый корпус типа ТО-92 и марка ВС548. Полупроводниковый триод ВС548 способен выдерживать выходной ток до 100 мА, а максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером 30 В. 

Транзистор SS8550 изготовлен из кремния и относится к семейству биполярных приборов. Триод имеет PNP структуру, предназначен для усиления и коммутации электрического сигнала. В качестве корпуса использован пластиковый вариант Т0-92. Специфика транзистора заключается в использовании высоких токов и низкого напряжения.

alt: Транзистор SS8550

Технические параметры транзистора SS8550:

  1. Максимальная разница потенциалов между выводами К-Б составляет 40 В.
  2. Предельно допустимое напряжение К-Э до 25 В.
  3. Напряжение пробоя в цепи Э-Б равняется 6 В.
  4. Наибольший коллекторный ток не превышает 1,5 А.
  5. Рассеиваемая мощность коллектора достигает 1 Вт.
  6. Температура кристалла до +150° С.
  7. Рабочий интервал температур варьирует в диапазоне от -65° С до +150° С.

Транзистор IRF4905 — это кремниевый MOS-транзистор, разработанный по технологии пятого поколения HEXFET специалистами компании International Rectifier. Данная методика позволила существенно снизить габариты компонента и получить низкое сопротивление прибора во включенном состоянии, что, в свою очередь, создало прецедент высокоскоростной коммутации и конструктивной надежности.

Кристалл транзистора IRF4905 запекается в корпус ТО-220АВ с металлическим основанием, оснащенным монтажным отверстием для болтового крепления, и тремя контактными ножками. Выводы расположены слева-направо в следующем порядке: затвор-сток-исток. Технико-эксплуатационные характеристики в полном объеме указаны в Datasheet на конкретный MOSFET. В таблицах приводятся предельные показатели того или иного параметра, поэтому даже кратковременное и незначительное их превышение приведет к выходу транзистора со строя.

Транзистор 4N60 относится к классу МОП-транзисторов N-канального типа. Компонент отличается оперативностью коммутации, высокой производительностью и безупречной надежностью эксплуатации. Прибор рекомендован к применению в усилителях мощности общего назначения.

Германиевые транзисторы

Германий впервые нашли в 1886 году. Вначале он позиционировался как новый металлоподобный элемент. После проведения ряда испытаний его определили недостающим элементом в таблице Менделеева, располагающимся ниже кремния. Именно ему была отведена роль произвести революцию в области электроники. Он стал материалом для первого низкочастотного транзистора, который разработали в 1948 году. Еще через пять лет был создан высокочастотный полупроводниковый триод.

alt: Германиевый транзистор для низкочастотного усилителя мощности

Преимущества германиевого транзистора:

  • высокая скорость заряженных частиц; 
  • малое падение напряжения на переходе p-n;
  • сниженное сопротивление открытого канала К-Э.

Германиевые транзисторы стояли у истоков развития полупроводниковых технологий. Они приобрели широкую популярность в первом десятилетии своего существования. Но после разработки электронных триодов на основе кремниевого кристалла, звезда германиевых компонентов стала потихоньку закатываться. Оказалось, что недостатков у германиевых приборов гораздо больше, чем у триодов из кремния. Германий — это редкий металл, его на Земле меньше, и он значительно дороже кремния, которого очень много. Металл обладает малой термостабильностью и высокими обратными токами. Сложно отводить тепло от кристалла, плюс проблема окисления металла-оксидом. В настоящее время германиевые транзисторы не выпускаются. Стоит отметить, что в области электронных музыкальных инструментов популярность германиевых триодов не исчезла, их можно встретить у настоящих ценителей хорошей акустики.