LF256H Advanced Micro Devices

Артикул

LF256H

Бренд

Advanced Micro Devices

Описание

IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TO99-8, J-FET Amplifier 1 Circuit - TO-99-8

Цена

1 826 руб.

Теги

Integrated Circuits (ICs), Интегральные микросхемы (ИМС), Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps, Линейные - Усилители - Приборные, OP усилители, буферные усилители

Image

files/LF256H.jpg

Supplier Device Package

TO-99-8

Amplifier Type

J-FET

Number of Circuits

Output Type

Slew Rate

12V/µs

Gain Bandwidth Product

5 MHz

Current - Input Bias

30 pA

Voltage - Input Offset

3 mV

Voltage - Supply Span (Min)

10 V

Package / Case

TO-99-8 Metal Can

Current - Supply

5mA

Other Names

2156-LF256H-AMD,TEXNSCLF256H

Series

BI-FET™

Package

Box

Part Status

Obsolete

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-25°C ~ 85°C

RoHS Status

RoHS non-compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.33.0001

Standard Package

500

Voltage - Supply Span (Max)

44 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: N80C188

Бренд: Advanced Micro Devices

Описание:

80C188 - 16-BIT MICROPROCESSOR, 80C186 Microprocessor IC series 1 Core, 16-Bit

Подробнее

Артикул: R80186

Бренд: Advanced Micro Devices

Описание: 80186 - RISC MPU, 16-BIT, 80186 Microprocessor IC series 1 Core, 16-Bit 8MHz 68-CLCC

Подробнее

Артикул: AM7202A-50JC

Бренд: Advanced Micro Devices

Описание:

FIFO, 1KX9, 50NS, ASYNCHRONOUS, Asynchronous FIFO 1K x Модель AM7202A 50JC имеет полное название - Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs – Arrays Mosfet Array 2 N-Channel (Dual). Это согласованная пара 10,6 В, 500 мВт, сквозное отверстие 8-PDIP. Семейство МОП-транзисторов с подобранной парой. Предназначенный для применения при низком напряжении и малом сигнале, ALD110800/ALD110900 имеет нулевое пороговое напряжение, которое снижает или устраняет изменение уровня входного и выходного напряжения.
Основные технические особенности
1) Упаковка / кейс - 8-DIP (0,300 ", 7,62 мм).
2) Тип полевого транзистора – N-канала (двойной).
3) Функция Fet – Стандарт.
4) Напряжение от стока к источнику (vdss) - 10,6 В.
5) Vgs (th) (max) @ Id - 10 мВ при 1 мкА.
6) Максимальная мощность - 500 МВт.
7) Тип монтажа - Сквозное отверстие.
8) Минимальная рабочая температура - 0 C.
9) Конфигурация – Двойной.
10) Полярность транзистора - N-канал.
11) Сопротивление стока-источника Rds (включено) - 500 Ohm (Typ) @ 4 V.
12) Коэффициент прямой транспроводимости Gfs (макс. / мин.) - 0,0014 С.
13) Напряжение пробоя стока-источника - 10,6 В.
14) Напряжение пробоя затвора-источника - 10,6 В.
15) Постоянный ток утечки - 12 мА.
16) Рассеиваемая мощность - 500 МВт.
17) Максимальная рабочая температура – составляет 70 C.
18) Способ монтажа - Сквозное отверстие.
19) Не содержит свинца - статус RoHS.9 Uni-Directional 15.3MHz 50ns 32-PLCC (13.97x11.43)