г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2SC5015-A CEL

Артикул
2SC5015-A
Бренд
CEL
Описание
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343, RF Transistor NPN 6V 30mA 12GHz 150mW Surface Mount -
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/2SC5015-A.jpg
Power - Max
150mW
Supplier Device Package
-
Transistor Type
NPN
Gain
11dB
Current - Collector (Ic) (Max)
30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition
12GHz
REACH Status
REACH Unaffected
Package / Case
SC-82A, SOT-343
Operating Temperature
150°C (TJ)
Series
-
Package
Strip
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Standard Package
1
Mounting Type
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.5dB @ 2GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NE350184C
Бренд: CEL
Описание: FET RF 4V 20GHZ MICRO-X, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 20GHz 13.5dB - 84C
Подробнее
Артикул: CE3514M4
Бренд: CEL
Описание: RF FET 4V 12GHZ SOT343, RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 12GHz 12.2dB 125mW 4-Super Mini Mold
Подробнее
Артикул: NE85633-T1B
Бренд: CEL
Описание: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23, RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: NE4210S01-T1B
Бренд: CEL
Описание: HJ-FET 13DB S01, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 13dB - SMD
Подробнее
Артикул: NE68133-A
Бренд: CEL
Описание: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23, RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: CE3520K3-C1
Бренд: CEL
Описание: RF FET 4V 20GHZ 4MICROX, RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 20GHz 13.8dB 125mW 4-Micro-X
Подробнее