г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BS107PSTZ Diodes Incorporated

Артикул
BS107PSTZ
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE, N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Цена
66 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BS107PSTZ.jpg
Supplier Device Package
E-Line (TO-92 compatible)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
85 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.6V, 5V
Vgs (Max)
±20V
Package / Case
E-Line-3
Other Names
BS107PSTZ-ND,BS107PSTZDICT,BS107PSTZDITR
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Base Product Number
BS107
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
2,000
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: GBJ610
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: MMBT5551-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 160V 0.6A SMD SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: ZVN4210A
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3, N-Channel 100 V 450mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: MJD31C-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: BSS8402DW-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6, Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363
Подробнее
Артикул: MMBD4448HTM-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT26, Diode Array 3 Independent Standard 80 V 250mA Surface Mount SOT-23-6
Подробнее