г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated

Артикул
DMG1012TQ-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523, N-Channel 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Цена
65 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/DMG1012TQ-7.jpg
Supplier Device Package
SOT-523
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
60.67 pF @ 16 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±6V
Package / Case
SOT-523
Other Names
DMG1012TQ-7-ND,DMG1012TQ-7DICT,DMG1012TQ-7DITR,DMG1012TQ-7DIDKR
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
DMG1012
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
280mW (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: S1AB-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A SMB, Diode Standard 50 V 1A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: GBJ1006-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: BZX84C5V1-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 5.1V 300MW SOT23-3, Zener Diode 5.1 V 300 mW ±6% Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: DMP2160UFDB-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.8A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Подробнее
Артикул: ZTX757
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 30MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: ES1D-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее