г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated

Артикул
DMG1016UDW-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N/P-CH 20V SOT363, Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.07A, 845mA 330mW Surface Mount SOT-363
Цена
86 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/DMG1016UDW-7.jpg
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SOT-363
Power - Max
330mW
FET Type
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.07A, 845mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 4.5V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Base Product Number
DMG1016
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Other Names
DMG1016UDW-7DIDKR,DMG1016UDW-7DITR,DMG1016UDW7,DMG1016UDW-7DICT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
60.67pF @ 10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: GBU802
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: RS3M-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC, Diode Standard 1000 V 3A Surface Mount SMC
Подробнее
Артикул: DMP1200UFR4-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3, P-Channel 12 V 2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1010-3
Подробнее
Артикул: MBR1060CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FMMT717TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 12V 2.5A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 2.5 A 110MHz 625 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: US1A-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA, Diode Standard 50 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее