г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DMG2301U-7 Diodes Incorporated

Артикул
DMG2301U-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3, P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Цена
81 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/DMG2301U-7.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
608 pF @ 6 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Other Names
DMG2301U-7DICT,DMG2301U-7DITR,DMG2301U7,DMG2301U-7DIDKR
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
DMG2301
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
800mW (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: GBU1010
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: GBPC2508W
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PH 800KV 25A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: GBJ25005-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 50 V Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: ZXTN2011GTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 100V 6A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 130MHz 3 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: 1N5711W-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD123, RF Diode Schottky - Single 70V 15 mA 333 mW SOD-123
Подробнее
Артикул: ZXTN19100CFFTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 100V 4.5A SOT23F-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4.5 A 150MHz 1.5 W Surface Mount SOT-23F
Подробнее