г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DMN2065UW-7 Diodes Incorporated

Артикул
DMN2065UW-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323, N-Channel 20 V 2.8A (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Цена
71 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/DMN2065UW-7.jpg
Supplier Device Package
SOT-323
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Package / Case
SC-70, SOT-323
Other Names
DMN2065UW-7DIDKR,DMN2065UW7,DMN2065UW-7DITR,DMN2065UW-7DICT
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
DMN2065
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
430mW (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 6A10-T
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6, Diode Standard 1000 V 6A Through Hole R-6
Подробнее
Артикул: FZT851TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 60V 6A SOT-223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: RS3MB-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMB, Diode Standard 1000 V 3A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: DMP6023LFGQ-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8, P-Channel 60 V 7.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Подробнее
Артикул: BC847B-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: S1M-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее