г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DMN53D0LDW-7 Diodes Incorporated

Артикул
DMN53D0LDW-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 360mA 310mW Surface Mount SOT-363
Цена
62 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/DMN53D0LDW-7.jpg
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SOT-363
Power - Max
310mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
360mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Other Names
DMN53D0LDW-7DITR,DMN53D0LDW-7DIDKR,DMN53D0LDW-7DICT
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
DMN53
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 25V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4007-T
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: ZTX749
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 25V 2A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 2 A 160MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: DMTH10H025LK3-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252, N-Channel 100 V 51.7A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: KBP206G
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole KBP
Подробнее
Артикул: BC848C-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BSS84W-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323, P-Channel 50 V 130mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее