г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FMMT558TA Diodes Incorporated

Артикул
FMMT558TA
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
TRANS PNP 400V 0.15A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 150 mA 50MHz 500 mW Surface Mount SOT-23-3
Цена
79 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/FMMT558TA.jpg
Other Names
FMMT558CT,FMMT558TR,401-MT558-000,FMMT558,FMMT558DKR,FMMT558TR-NDR,FMMT558CT-NDR
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT-23-3
Power - Max
500 mW
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
FMMT558
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Frequency - Transition
50MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: ZVN4424GQTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 240V SOT223 T&R, N-Channel 240 V 500mA (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: GBJ606
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: DMP6023LFG-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8, P-Channel 60 V 7.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Подробнее
Артикул: APT13003NZTR-G1
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: IC POWER TRANSISTOR HV TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 900 V 1.5 A 4MHz 1 W Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: BAS116
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3, Diode Standard 85 V 215mA (DC) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: DDTC114EUA-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее