г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HBDM60V600W-7 Diodes Incorporated

Артикул
HBDM60V600W-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Цена
72 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Image
files/HBDM60V600W-7.jpg
Other Names
HBDM60V600WDITR,HBDM60V600W7,HBDM60V600WDIDKR,HBDM60V600WDICT
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SOT-363
Power - Max
200mW
Transistor Type
NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA, 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65V, 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 10mA, 100mA, 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
HBDM60V600
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: GBJ2504
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: ZTX605
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 1 A 150MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: B340-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC, Diode Schottky 40 V 3A Surface Mount SMC
Подробнее
Артикул: SBR3U40S1F-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 40V 3A SOD123, Diode Super Barrier 40 V 3A Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: ZXMC4559DN8TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: DMNH6008SCTQ
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB, N-Channel 60 V 130A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее