г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HBDM60V600W-7 Diodes Incorporated

Артикул
HBDM60V600W-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Цена
72 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Image
files/HBDM60V600W-7.jpg
Other Names
HBDM60V600WDITR,HBDM60V600W7,HBDM60V600WDIDKR,HBDM60V600WDICT
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SOT-363
Power - Max
200mW
Transistor Type
NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA, 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65V, 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 10mA, 100mA, 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
HBDM60V600
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: S1DB-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: DDTC114ECA-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FZT689BTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 20V 3A SOT-223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 3 A 150MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: ZVN4424GQTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 240V SOT223 T&R, N-Channel 240 V 500mA (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: BC847C-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: ZTX751
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 60V 2A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 2 A 140MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее