г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT5551-7 Diodes Incorporated

Артикул
MMBT5551-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
TRANS NPN 160V 0.6A SMD SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Цена
748 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MMBT5551-7.jpg
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Power - Max
300 mW
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Base Product Number
MMBT5551
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Other Names
MMBT5551DITR-ND,MMBT5551TR,MMBT5551CT,MMBT5551DICT-ND,MMBT5551-7DICT,MMBT5551DITR,MMBT5551TR-ND,MMBT5551CT-ND,MMBT5551,MMBT55517,MMBT5551DICT,MMBT5551-7DITR
Frequency - Transition
300MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: DMN5L06VK-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 280mA 250mW Surface Mount SOT-563
Подробнее
Артикул: GBU808
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: MMBT5551-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 160V 0.6A SMD SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: RS3JB-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB, Diode Standard 600 V 3A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: ZVP4105A
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3, P-Channel 50 V 175mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: BZX84C15-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 15V 300MW SOT23-3, Zener Diode 15 V 300 mW ±6% Surface Mount SOT-23-3
Подробнее