г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ZTX849 Diodes Incorporated

Артикул
ZTX849
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
TRANS NPN 30V 5A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 5 A 100MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/ZTX849.jpg
Other Names
ZTX849-NDR,Q931504
Package / Case
E-Line-3
Supplier Device Package
E-Line (TO-92 compatible)
Power - Max
1.2 W
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
220mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Standard Package
4,000
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Base Product Number
ZTX849
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MMBT3906LP-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 300MHz 250 mW Surface Mount X1-DFN1006-3
Подробнее
Артикул: DMHC3025LSD-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO, Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: KBP08G
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBP, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole KBP
Подробнее
Артикул: DMT10H010SPS-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060, N-Channel 100 V 10.7A (Ta), 113A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Подробнее
Артикул: DMN63D8LDW-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
Подробнее
Артикул: SBRT4U45LP-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 45V 4A 2DFN, Diode Super Barrier 45 V 4A Surface Mount U-DFN2020-2
Подробнее