г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ZVN4525E6TA Diodes Incorporated

Артикул
ZVN4525E6TA
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6, N-Channel 250 V 230mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Цена
157 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/ZVN4525E6TA.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-6
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
72 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.4V, 10V
Vgs (Max)
±40V
Package / Case
SOT-23-6
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Base Product Number
ZVN4525
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
ZVN4525E6TR-NDR,ZVN4525E6TR-ND,31-ZVN4525E6TACT,Q2187345,ZVN4525E6CT-ND,ZVN4525E6CT,ZVN4525E6CT-NDR,ZVN4525E6DKRINACTIVE,ZVN4525E6DKR-ND,31-ZVN4525E6TADKR,31-ZVN4525E6TATR,ZVN4525E6TR,ZVN4525E6TR-NDL,ZVN4525E6DKR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Power Dissipation (Max)
1.1W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: GBU806
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: ZXTN2011GTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 100V 6A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 130MHz 3 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: ES2B-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB, Diode Standard 100 V 2A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: SBR8U60P5-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 60V 8A POWERDI5, Diode Super Barrier 60 V 8A Surface Mount PowerDI™ 5
Подробнее
Артикул: FCX790ATA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 40V 2A SOT89, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 2 A 100MHz 2 W Surface Mount SOT-89-3
Подробнее
Артикул: ZXMN6A07FQTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23, N-Channel 60 V 1.2A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее