г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated

Артикул
ZXMC3A17DN8TA
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 1.25W Surface Mount 8-SO
Цена
184 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/ZXMC3A17DN8TA.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
Power - Max
1.25W
FET Type
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.1A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12.2nC @ 10V
Other Names
ZXMC3A17DN8TA-ND,ZXMC3A17DN8TR,ZXMC3A17DN8CT,ZXMC3A17DN8DKR
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Standard Package
500
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
ZXMC3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 25V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: KBP08G
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBP, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole KBP
Подробнее
Артикул: SBRT30A60CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR ARRAY 60V 15A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 60 V 15A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MBR5200VPBTR-E1
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27, Diode Schottky 200 V 5A Through Hole DO-201
Подробнее
Артикул: ZTX618
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 3.5 A 100MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: ZVN0545A
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 450V 90MA TO92-3, N-Channel 450 V 90mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: BC847CW-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее