г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated

Артикул
ZXMN20B28KTC
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3, N-Channel 200 V 1.5A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Цена
141 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/ZXMN20B28KTC.jpg
Supplier Device Package
TO-252-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
358 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Base Product Number
ZXMN20
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
ZXMN20B28KTCTR,ZXMN20B28KTCCT,ZXMN20B28KTCDKR
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Power Dissipation (Max)
2.2W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: GBPC2510W
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 1V 25A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: DL4007-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A MELF, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount MELF
Подробнее
Артикул: S1MB-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: S1M-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: SBR0560S1Q-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 60V 500MA SOD123, Diode Super Barrier 60 V 500mA Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: DMTH10H025LK3-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252, N-Channel 100 V 51.7A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее