г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated

Артикул
ZXMN6A07FTA
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3, N-Channel 60 V 1.2A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Цена
88 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/ZXMN6A07FTA.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
166 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Base Product Number
ZXMN6A07
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Other Names
ZXMN6A07FDKR,ZXMN6A07FTR,ZXMN6A07FCT-NDR,ZXMN6A07FTR-NDR,ZXMN6A07FCT,Q2210610
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Power Dissipation (Max)
625mW (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: GBPC1508W
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PH 800V 15A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: ZXTP2012ZTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 60V 4.3A SOT89, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 4.3 A 120MHz 2.1 W Surface Mount SOT-89-3
Подробнее
Артикул: DMG1012T-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523, N-Channel 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Подробнее
Артикул: ZTX560
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 500V 0.15A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor PNP 500 V 150 mA 60MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: SBR20A60CTFP
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SBR 60V 10A ITO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 60 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Подробнее
Артикул: DMT2004UFDF-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN, N-Channel 24 V 14.1A (Ta) 800mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Подробнее