EPC2100 EPC
Артикул
EPC2100
Бренд
EPC
Описание
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) - Surface Mount Die
Цена
1 195 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/EPC2100.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Other Names
917-1180-6,917-1180-1,917-1180-2
Power - Max
-
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Standard Package
500
HTSUS
8541.29.0095
Series
eGaN®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
GaNFET (Gallium Nitride)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут