EPC2102ENGRT EPC
Артикул
EPC2102ENGRT
Бренд
EPC
Описание
GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A (Tj) - Surface Mount Die
Цена
861 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/EPC2102ENGRT.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Other Names
917-EPC2102ENGRDKR,917-EPC2102ENGRTR,917-EPC2102ENGRCT
Power - Max
-
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 30V
Standard Package
500
HTSUS
8541.29.0040
Series
eGaN®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
GaNFET (Gallium Nitride)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут