EPC2105 EPC
Артикул
EPC2105
Бренд
EPC
Описание
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A - Surface Mount Die
Цена
1 230 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/EPC2105.jpg
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Power - Max
-
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
500
Series
eGaN®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
917-1185-6,917-1185-2,917-1185-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут