г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FCP130N60 Fairchild Semiconductor

Артикул
FCP130N60
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3, N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
307 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FCP130N60.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3590 pF @ 380 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
278W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220-3
Series
SuperFET® II
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
ONSFSCFCP130N60,2156-FCP130N60
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FQA28N50
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: 28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL, N-Channel 500 V 28.4A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: FDB7030BL
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,, N-Channel 30 V 60A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Подробнее
Артикул: IRFS630A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 200 V 6.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: BDX33C
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FGD3040G2-F085
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: FGD3040G2_F085 - ECOSPARK2 IGN-I, IGBT - 400 V 41 A 150 W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: 1N755A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35, Zener Diode 7.5 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее