FCPF650N80Z Fairchild Semiconductor
Артикул
FCPF650N80Z
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N, N-Channel 800 V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Цена
264 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FCPF650N80Z.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1565 pF @ 100 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
30.5W (Tc)
Series
SuperFET® II
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-FCPF650N80Z,ONSFSCFCPF650N80Z
Base Product Number
FCPF650
Supplier Device Package
TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут