FDA38N30 Fairchild Semiconductor
Артикул
FDA38N30
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, N-Channel 300 V 38A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Цена
231 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDA38N30.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
312W (Tc)
Supplier Device Package
TO-3PN
Series
UniFET™
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
ONSFSCFDA38N30,2156-FDA38N30
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут