г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDB6670AL Fairchild Semiconductor

Артикул
FDB6670AL
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB, N-Channel 30 V 80A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDB6670AL.jpg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2440 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Other Names
2156-FDB6670AL-FSTR,FAIFSCFDB6670AL
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FGA20S140P
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT Trench Field Stop 1400 V 40 A 272 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: TN2219A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: TRANS NPN 40V 1A TO226-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 1 A - 1 W Through Hole TO-226-3
Подробнее
Артикул: FGA4060ADF
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 238 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: FDMS8690
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP, N-Channel 30 V 14A (Ta), 27A (Tc) 2.5W (Ta), 37.8W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
Подробнее
Артикул: IRF740A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB, N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FDS6900AS
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее