г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDB6676 Fairchild Semiconductor

Артикул
FDB6676
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 30 V 84A (Ta) 93W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Цена
124 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDB6676.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
84A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5324 pF @ 15 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
TO-263AB
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
FAIFSCFDB6676,2156-FDB6676
Standard Package
800
Power Dissipation (Max)
93W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJD340
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: TRANS NPN 300V 500MA DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA - 1.56 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: FGA30S120P
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT Trench Field Stop 1300 V 60 A 348 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: KSD2012GTU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: KSD2012 - NPN EPITAXIAL SILICON, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 2N4401BU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FDS8878
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 30 V 10.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FGA20S120M
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: IGBT, 40A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT Trench Field Stop 1200 V 40 A 348 W Through Hole TO-3P
Подробнее