FDD4N60NZ Fairchild Semiconductor
Артикул
FDD4N60NZ
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, N-Channel 600 V 3.4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Цена
55 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDD4N60NZ.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
114W (Tc)
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Series
UniFET-II™
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
ONSONSFDD4N60NZ,2156-FDD4N60NZ
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут