FDP032N08B-F102 Fairchild Semiconductor
Артикул
FDP032N08B-F102
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, N-Channel 80 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
PowerTrench®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
144 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10965 pF @ 40 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
263W (Tc)
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-FDP032N08B-F102ND,ONSONSFDP032N08B-F102
Standard Package
1
Supplier Device Package
TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут