FDP3651U Fairchild Semiconductor
Артикул
FDP3651U
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8, N-Channel 100 V 80A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
326 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDP3651U.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5522 pF @ 25 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
255W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220-3
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
FAIFSCFDP3651U,2156-FDP3651U
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут