FDP3652 Fairchild Semiconductor
Артикул
FDP3652
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9, N-Channel 100 V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDP3652.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 61A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2880 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220-3
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-FDP3652,FAIFSCFDP3652
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут